...
Первая серийная EUV-установка ASML TWINSCAN NXE:3400B, до сих пор применяемая для реализации техпроцессов «7 нм» и «5 нм» и штатно способная создавать на поверхности кремниевой пластины полупроводниковые структуры с дистанцией между соседними затворами (gate pitch — реальное разрешение) 13 нм, тянет на 180 тонн, состоит более чем из 100 тыс. узлов и компонентов и потребляет более 1 МВт электрической мощности. Разработчик анонсировал её готовность к серийному производству в 2017-м.

Она обходилась заказчикам на старте продаж примерно в 120 млн долл. США, тогда как более современная модель TWINSCAN NXE:3600D, что используется для выпуска «5-нм» и «3-нм» СБИС, в наши дни стоит практически вдвое дороже.
...
Способные изготавливать EUV-фотомаски компании в мире наперечёт: это Applied Materials, Asahi Glass Co (AGC) и Hoya.
...
самый передовой на сегодня EUV-литограф ASML TWINSCAN NXE:3600D выдаёт готовую продукцию со скоростью 160 пластин в час. То есть в полтора раза медленнее, чем практически венец совершенства DUV-технологий, литограф TWINSCAN NXT:2000i, что выпекает 300-мм пластины с физическим разрешением 38 нм (именно его применяют чипмейкеры для выпуска СБИС по маркетинговым технологическим нормам «7 нм» и даже «5 нм») в темпе 275 единиц в час.
...
Для фотонов 13,5-нм излучения ситуация обратная: их на фоторезист попадает до крайности мало. Формально процессу засветки чувствительного слоя это не препятствует: энергия 13,5-нм фотона примерно в 14 раз больше, чем 193-нм. Однако если на квадратный нанометр мишени в DUV-машине попадает в среднем 97 фотонов, то на ту же площадь в EUV-агрегате — уже всего семь. Следовательно, каждый элемент на поверхности кремниевой пластины будет формироваться буквально считаным (единицы, максимум один-два десятка) числом фотонов на квадратный нанометр, так что погрешность количества фотонов, попадающих на единичную площадку, возрастает примерно с ±10% до ±40%.
...